收藏本站
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMP6A17DN8
Typical Characteristics
10
T = 25°C
10V
5V
4V
3.5V
10
T = 150°C
10V
5V
4.5V
3.5V
3V
3V
2.5V
1
2.5V
1
2V
0.1
2V
0.1
-V GS
0.01
-V GS
0.1 1 10
-V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
0.01
1.8
1.5V
0.1 1 10
-V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
10
T = 150°C
1.6
1.4
V GS = -10V
I D = - 2.3A
R DS(on)
1
T = 25°C
1.2
1.0
0.1
-V DS = 10V
0.8
V GS = V DS
I D = -250uA
V GS(th)
0.6
1
2
3
4
-50
0
50
100
150
-V GS Gate-Source Voltage (V)
Typical Transfer Characteristics
Tj Junction Temperature (°C)
Normalised Curves v Temperature
100
2V
-V GS
10
10
2.5V
3V
3.5V
1
T = 150°C
1
4V
5V
0.1
T = 25°C
0.1
0.01
T = 25°C
10V
0.01
V GS = 0V
0.1
1
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-I D Drain Current (A)
On-Resistance v Drain Current
-V SD Source-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
ZXMP6A17DN8
Document Number DS33588 Rev 4 - 2
5 of 8
www.diodes.com
August 2013
? Diodes Incorporated
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
ZXMP6A17E6TA MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6
ZXMP6A17GTA MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
ZXMP6A17KTC MOSFET P-CH 60V 4.4A DPAK
ZXMP6A17N8TC MOSFET P-CH 60V 2.7A SO8
ZXMP6A18DN8TA MOSFET 2P-CH 60V 4.6A 8-SOIC
ZXMP6A18KTC MOSFET P-CHAN 60V DPAK
ZXMP7A17GTA MOSFET P-CH 70V 3.7A SOT-223
ZXMP7A17KTC MOSFET P-CH 70V 5.7A D PAK
相关代理商/技术参数
ZXMP6A17DN8TC 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMP6A17E6 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMP6A17E6TA 功能描述:MOSFET P-Ch 60 Volt 3.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZXMP6A17E6TC 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMP6A17G 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:
ZXMP6A17GQTA 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:FET - Tape and Reel
ZXMP6A17GTA 功能描述:MOSFET 60V P-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZXMP6A17GTA-CUT TAPE 制造商:DIODES 功能描述:ZXMP6A17G Series 60 V 0.125 Ohm P-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-223